AM6B1产品亮点

采用PCIe Gen 4SM2268XT 控制器
超高性能,顺序读取性能最高达7000MB/s
12nm SOC工艺,兼顾性能与功耗
平均无故障工作时间高达 200万小时

高性能

顺序读取速度高达7000 MB/s,随机4KB读写入高达 800K/900K,满足个人电脑、服务器
工业级个人电脑等存储需求

低功耗

采用12nm SOC工艺,L1.2: < 5 mW ,提升设备续航时间

高可靠

平均无故障工作时间高达 200万小时,提供长时间高可靠的存储体验

规格参数

型号

AM6B1

形状

M. 2 2242-S3-M

M.2 2280-S3-M

容量

256GB

 512 GB

 1TB

256GB

 512 GB

 1TB

顺序读取

6200MB/s

7000MB /s

7000MB /s

6200MB/s

7000MB /s

7000MB /s

顺序写入

2600MB/s

5200MB /s

6200MB/s

2600MB/s

5200MB /s

6200MB/s

随机读取IOPS(4KB)

430K

800K

800K

430K

800K

800K

随机写入IOPS(4KB)

600K

900K

900K

600K

900K

900K

尺寸

长42±0.1mm  宽22±0.1mm  高2.38mm(最大)

长80±0.1mm  宽22±0.1mm  高2.38mm(最大)

重量

最大3.8g

最大6.0g

功耗

L1.2:< 5 mW   空闲:< 50 mW   工作:< 180 mW

总线接口

PCIe接口Gen4*4

NVMe标准

NVMe 1.4

温度

工作:0℃~ 70℃  非工作:-40℃~ 85℃

湿度

5% to 95%,无冷凝

平均无故障工作时间

200万小时

冲击

工作:半正弦,1000G @ 1ms,6个方向支持NVMe 1.4命令集   非工作:半正弦,1500G @0.5 ms,6面

振动

工作:随机振动,5Grms,2~2000Hz,3轴   非工作:随机振动,7Grms,2~500Hz, 3轴

供电电压

3.3V±5%

纹波/噪声

≤100mV




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