近日，忆联“基于3D闪存的嵌入式存储芯片项目”获得深圳市科创委批准立项，将进行研发创新和产业化应用。

公开资料显示，3D NAND是一种新兴的闪存类型，通过把存储单元堆叠在一起来解决2D或平面NAND闪存带来的限制，代表了NAND Flash未来发展的方向，已成为各国大力投入研发积极强占的高地。该芯片具有相比以往更大的存储容量、更高的擦写速度和更长的寿命，实现海量存储的核心，成为大容量存储的主要选择。项目的研发将很好地弥补我国在存储芯片领域受制于人的短板，提升国产芯片的整体实力。

2017年成立以来，忆联持续加大研发投入，使技术优势显著增强。经过3年多的努力，自主研发控制器已成为忆联最具代表性的核心技术之一，处于业界领先水平，并应用于RM540等嵌入式存储产品，获得政府部门的认可则是实至名归。