AI的飞速发展，正成为驱动全球存储市场增长的核心动力，市场对DRAM、NAND到SSD/ HDD的存储全栈需求持续激增。

当前，DDR4向DDR5的产能切换正导致DDR4供应日趋紧张，这一不确定性已传导至服务器与数据中心产业，对其持续发展构成挑战。

•成本攀升：DDR4的缺货与涨价直接推高了企业IT基础设施的采购与运维成本。

数据来源：TrendForce

•性能瓶颈：新一代中央处理器（CPU）平台对内存带宽提出了更高要求，继续依赖DDR4将无法充分发挥新平台的算力潜能，形成性能瓶颈。另一方面，许多仍在服役的上一代平台在硬件层面（如CPU内存控制器或主板插槽）并不支持DDR5，从根源上限制了向DDR5的平滑过渡。 

•供应风险：依赖即将步入生命末期的DDR4组件，企业的产品规划和供应链稳定性将面临长期风险。

*趋势预测：DDR4的应用占比预计大幅下降

数据来源：TrendForce、Omdia

这一系列连锁反应表明，仅仅等待或维持现状已不可行。产业亟需一条能够平衡当下与未来、兼顾性能与成本的平滑、高效升级路径。

一、忆联全系PCIe 5.0 eSSD支持DDR5，驱动产业破局

基于对上述产业升级瓶颈的深刻洞察，忆联在新一代企业级SSD上做出了前瞻性布局：率先采用支持DDR5的先进SOC主控。这一关键设计将DDR5的兼容性与信号完整性保障，从“后期适配”层面提前至“芯片设计之初”，从而在源头确保了产品对DDR5内存的完美支持。此举意味着：

性能无损更强劲：可充分释放DDR5的带宽潜力，为SSD提供极致的数据缓存吞吐能力。

供应稳定更低风险：基于此类SOC的设计，使得忆联eSSD能够无缝适配支持DDR5的最新CPU平台，帮助客户绕过DDR4的供应链困境，直接构建面向未来的算力基础设施。

采用先进SOC主控只是拥抱DDR5的第一步。忆联深知，DDR5作为新技术，其信号完整性与系统兼容性是企业级应用必须攻克的新挑战。为此，我们坚持企业级稳定性优先的准则，在专业的兼容性实验室中，对新一代UH8系SSD产品进行了极为严苛的DDR5专项信号测试，确保产品在真实、复杂环境中绝对稳定运行。

二、以严苛验证，定义企业级稳定性的绝对标准

从DDR4到DDR5的过渡是一次系统性挑战，必须通过严谨的测试和数据来佐证其成熟度。

由于DDR5采用的是双通道设计，提升了数据读写效率和系统整体性能的同时，也使得地址信号在速率与时序上的要求比DDR4更为苛刻，因此地址信号测试是确保系统稳定性和数据正确性的核心环节之一。

忆联针对地址信号执行了涵盖信号完整性、时序及多平台场景的全工况测试，从下方的地址信号眼图可看出，忆联UH8系SSD产品DDR5地址信号可满足JESD79-5协议规范要求。

新一代UH8系DDR5地址信号眼图

相较于DDR4，DDR5更高的数据速率使得信号在传输路径上的损耗、反射和串扰效应被急剧放大，任何微小的失真都可能导致数据错误，进而引发系统性能下降或静默数据损坏。在DDR5中读写方向的数据信号眼图测试，则是确保数据传输完整性和产品高可靠性的核心。

忆联通过构建一套覆盖读、写路径的全方位、闭环验证体系，保障数据在双向传输中均具备极高的稳定性。

·通过写方向数据信号眼图测试，验证了UH8系SSD能实现写入命令的精准送达。

新一代UH8系DDR5写方向数据信号眼图

·通过读方向数据信号眼图测试，验证了UH8系SSD能实现读取数据的精准回传，可准确无误地接收和解析。

新一代UH8系DDR5读方向数据信号眼图

三、企业级与消费级双轮驱动，为全域应用场景提供核心支撑

忆联UH812a/UH832a：极致性能，引领高速计算
UH812a/UH832a作为一款PCIe Gen5 SSD，专为AI训练、实时数据库、高性能计算等关键任务负载设计，其连续读写带宽可高达14.9GB/s，结合多重可靠性与智能管理，确保在高压环境下仍能保持稳定低延迟，彻底释放算力平台的潜在性能。

在AI的各类场景中，UH812a/UH832a系列都能够提供卓越的性能支持，满足AI相关的行业应用对存储系统的高要求。

同时，在此前第三方专业机构对忆联UH812a 的权威评测中，表明了UH812a在DDR5环境下可顺利运行，能为企业的升级部署提供坚实保障。

忆联AE531：开创消费级QLC存储新体验

忆联消费级SSD，系统则更为精简：无DRAM依赖，在保证性能的同时，显著优化整体成本。基于此，忆联推出了更具竞争力的消费级产品AE531，为客户在消费级存储方案上提供了更理想的选择。

作为忆联首款消费级QLC SSD，AE531采用Dram-less架构，凭借QLC介质高密度优势，能实现更低的功耗与更高的耐用性。在兼容性方面AE531也有着卓越表现，能全面适配x86及各类非x86架构平台，确保在不同硬件环境中均能稳定可靠地运行。

性能方面，AE531通过创新的固件算法与HMB（主机内存缓冲）技术的深度结合，数据读写效率有效提升，1TB版本在QLC直写模式下可实现160MB/s的顺序写入速度，能充分满足日常办公、数字娱乐与轻度创作等多元化应用场景的需求。

直面DDR5升级窗口，忆联正以前瞻性的研发投入，引领存储技术革新，即将率先推出基于自研SOC主控的全新8CH DSSD，将凭借其在能效、密度与可靠性的综合优势，直接赋能行业客户，实现最佳TCO。